1. Describa la clasificación de la familia de los transistores de efecto de campo FET.
Los transistores de efecto de campo se dividen en dos tipos:
a. Transistores de efecto de campo de juntura: El voltaje aplicado a la juntura p-n con polarización inversa asociada con el terminal de compuerta determina el espesor de las capas de juntura y esto altera las dimensiones efectivas del canalconductor. Este puede estar construído con material del tipo p o del tipo n. Este es el dispositivo que se conoce normalmente como fet o transistor de efecto de campo. En esta categoría se encuentran el jfet y mesfet.
La diferencia entre cada uno de estos dispositivos es que el jfet es un transistor de efecto de campo de juntura y el MESFET, es efecto de campo de juntura metal semiconductor es decir sudiferencia fundamental se basa en los materiales con los cuales están construidos.
b. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada: La tensión aplicada al terminal de compuerta determina la carga inducida en un material semiconductor que está eléctricamente aislado de la compuerta. La carga inducida puede establecer un canal conductor en donde no existía ninguno antes, tal como en el casode los dispositivos tipo n o p de enriquecimiento o modular la conductividad de un canal ya existente. Este es el caso de los n y p tipo empobrecimiento. En esta categoría se encuentra el IGFET o MOSFET.
Los IGFET o MOSFET tienen una compuerta metálica y un óxido como aislador es decir están formados por metal oxido semiconductor, existen de dos tipos de enriquecimiento y de empobrecimiento elprimero normalmente abierto y el de empobrecimiento normalmente cortado.
2. Explique la operación del modelo Schockley de una unión del transistor de efecto de campo.
Modelo Shockley de una unión del
transistor de efecto de campo
Este modelo esta representado por la forma en como se comporta el transistor de efecto de campo, en el por medio de la polarización de la compuerta se obtiene unavariación entre la corriente existente entre le drenador y la fuente. Los terminales de la compuerta se polarizan con el mismo voltaje y de acuerdo al valor de este se puede ampliar o reducir el ancho del canal entre el drenador y la fuente, creando de esta manera la variación de la corriente ID
El modelo schokley se define por la siguiente ecuación:
ID=IDSS(1-VGS/Vp)2
Donde:
Vp: es la tensión depuerta que produce el corte en el transistor FET.
IDSS: es la corriente máxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarización de la puerta es VSG= 0 V.
3. Dibuje y explique las curvas características básicas I-V del JFET.
En las graficas anteriores se puede ver como en el jfet de canal N cuando la polarización vgs se hace mas positiva entonces el cana seensancha y por lo tanto la corriente id tiende a aumentar, el voltaje vp es el voltaje en el cual entra en corte el transistor y cuando el voltaje vds alcansa dicho valor pero en sentido contrario es decir negativo entonces el transistor se satura. Lo mismo ocurre para el transistor del canal p pero en este caso el voltaje vgs se tiene que hacer mas negativo para que exista la corriente máxima idss.Aquí se puede apreciar la variación de id con respecto a vd para ciertos valor de vgs constantes. Cuando se alcanza cierto valor de vd ocurre una ruptura conocida como ruptura de avalancha, en ese momento el transistor se destrulle.
4. Dibuje y explique la curva característica de transferencia de un JFET de canal largo.
Curva de transferencia
Representa la variación de vg con respecto a id yse puede observar que a medida aumenta vg la corriente id tiende a ids o corriente máxima por el drenador, por otra parte cuando el voltaje lleva la corriente id a cero existe entonces un voltaje llamado vp.
5. Dibuje y compare las curvas características I_V del MESFET normalmente ON y OFF.
La curva característica del MESFET es similar a la del JFET ya que son del mismo tipo, en el…
